(二)国开基金增资海威华芯高端芯片项目。

公司近期已公告控股子公司成都海威华芯科技有限公司,拟引入投资者国开发展基金1.52亿元对海威华芯进行增资。国开发展基金为国家开发银行全资子公司。

国开基金本次增资资金投资项目为”海威华芯6吋第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线项目”,投资期限为10年,投资期限内国开基金通过现金分红、回购溢价等方式取得的投资收益按照1.2%的年化投资收益率计算。

国开发展基金1.52亿元增资海威华芯,增资后持股12.66%,海特高新持股由52.91%降为46.21%。

(三)突破高端射频芯片封锁,打开新的市场空间。

根据公司公告,海威华芯第一条6吋第二代/第三代化合物半导体集成电路生产线同时具有砷化镓、氮化镓以及相关高端光电产品的生产能力。海威华芯砷化镓0.25微米的功放电路生产工艺和砷化镓无源集成电路生产工艺的技术指标已达到国外同行业先进水平。

据介绍,化合物半导体砷化镓、氮化镓芯片是半导体技术中的明珠,主要用于移动通讯、光通信、雷达、卫星通讯、电力电子、新能源等领域,是实现高频率、高效率及低噪声的射频核心芯片,也是进行高频光纤通信、高频大功率电力转换不可或缺的芯片。全球化合物半导体产业目前最大尺寸就是6吋生产线,海威华芯的6吋化合物半导体生产线,是世界上化合物半导体领域最先进的生产线之一。

(四)芯片项目面向雷达、5G、新能源等,战略意义重大。

2015年公司投资成都海威华芯科技有限公司,其产品主要面向5G、光伏、雷达等高端芯片市场。2015年1月公司投资5.5亿元受让海威华芯资产并对其增资,交易完成后,成为公司的控股子公司。海威华芯主要从事第二代/第三代化合物半导体集成电路芯片的研制,发展潜力巨大,经过有效优化和整合,其可升级为集工艺开发、器件研制、产品生产制造、系统应用开发于一体的我国化合物半导体领域的开放平台,该项目填补了国内市场空白。

公司联手四威电子(中电科29所旗下)合作打造微电子平台,涉足高端芯片制造领域,控股海威华芯是公司融入国家信息安全战略发展的重大举措,是混合所有制改革典范。

海威华芯建设6吋GaAs 0.15μm p-HEMT/HBT 和GaNHEMT(含SiC)两条生产线,填补国内6吋Ⅲ-Ⅴ族集成电路制造的空白,为完成新一代电子产品的研制与生产提供能力;建成大陆首条第二代/第三代半导体集成电路芯片Foundry 线。2015年,一期基础设施建设、设备安装等工作基本完成;关键技术、管理人才已陆续到位,已经形成核心团队;工艺技术路演已完成并进入实战阶段,已取得专利58项。海威华芯拥有自主核心知识产权,本项目获得国家、省政府的高度关注和支持,目前该项目已经获得国家、四川省多项专项扶持资金。公司投资海威华芯符合公司发展战略规划,为公司未来发展拓展新的市场空间。

海特高新已与中电科29所签署了《战略合作意向书》,公司和中电科29所将就航空机载及检测设备开展联合立项、研制、联合生产等合作。双方将优先与对方开展深度合作。

中电科29所是我国最早建立、专业从事电子战技术研究、装备型号研制和生产的国家一类系统工程研究所,多年来一直承担着国家重点工程、国家重大基础、国家重大安全等工程任务,能够设计开发和生产陆、海、空、天、弹等各种平台的电子信息系统装备。