存储市场，惊现戏剧性转折！

一年前的今天，各大存储厂还在为行业产能过剩而苦恼；一年后的今天，存储市场竟又进入了供不应求的上行通道。

今年4月，海外原厂接连宣布停产DDR4、LPDDR4X等中低端存储产品，突然的供不应求使存储芯片自今年二季度起就开始了轰轰烈烈的涨价潮。

数据显示，2025年1-7月，主流存储产品DRAM的价格指数已暴涨47.7%；NAND Flash价格指数也上涨9%左右。

对此，国内各大存储厂反应各异。

看业绩，存储芯片设计龙头兆易创新今年上半年营收和净利润分别实现41.5亿、5.75亿，同比分别上涨15%、11.31%，在江波龙、佰维存储等一众增收不增利同行中尤为亮眼。

兆易创新的成长史，堪称一部完美的技术突破和资源整合史。

时间回到21世纪初，全球存储市场“金字塔结构”坚不可摧，三星电子、SK海力士、美光等国际大厂掌握着绝大多数市场和DRAM/NAND Flash等中高端产品。

一个很明显的差距就是，当三星电子已经实现90nm工艺NAND Flash量产时，中国大陆才刚刚突破130nm制程，且在巨头打压下难以继续前进。

兆易创新的出现就很巧妙地解决了这一困境。

既然高端芯片研发受制于人，那就把中低端产品做到“无可替代”。

2008年，公司创新性采用架构创新方式打造出国内首颗SPI NOR Flash产品，在国际大厂逐步退出低端NOR Flash产能之际，成功靠性价比优势出圈。

完美打响第一枪的兆易创新深知，国内存储技术与国际市场依旧存在较大差距，自主研发不能停。

2018年-2025年上半年，兆易创新研发费用率基本维持在10%以上的较高水平，吊打江波龙、佰维存储等同行。

长期高强度研发的结果就是，公司产品线逐步从低端NOR Flash产品拓展到NAND Flash和全线利基型DRAM产品，并向外延伸出了第二成长曲线——微控制器。

截至2025年上半年末，兆易创新38nm和24nm制程NAND Flash产品已全面量产，容量足以覆盖1Gb~8Gb，成为全球排名第一的无晶圆厂Flash供应商。MCU产品也已实现110nm、55nm、40nm、22nm等各个工艺制程全覆盖，行业领先。

但生态构建只靠自主研发是远远不够的。芯片国产替代过程中，团结一心远比闭门造车更有效，资源整合也是兆易创新对标大厂、冲刺高端的必需技能。

从2020年入股长鑫存储强化DRAM国产化布局，到2024年投资北京青耘和光羽芯辰布局定制化存储和3D堆叠技术，兆易创新一步步将自己打造成了中低端DRAM的全能手和高端3D存储器的预备军。

2025年以来，兆易创新也是资本动作不断，相继发布H股上市和募资46.96亿元扩产的相关公告。

跟部分公司无脑扩产和上市为还债不同，兆易创新fabless的轻资产运营模式让其不必承担过多的资本开支压力，自由现金流状况始终良好。

截至2025年上半年，兆易创新账上还躺着91.28亿现金，有息负债率更是低至5.2%，现金流甚至比高端存储稀缺龙头澜起科技都要充裕。

所以，兆易创新并不缺钱，赴港上市更多是为整合国际市场资源实现高端技术跃迁，进而完善其全球化布局。

而加速DRAM芯片和汽车电子芯片产业化更是为补足三星、美光等国际大厂退出利基型市场而产生的供给缺口，抢占更多市场，是符合行业发展现状的决策。

一直以来，兆易创新因“捡漏”国际大厂中低端订单而颇受质疑，但公司始终在按照自己的节奏稳步前行，它的目标也从来不止于国内。

多年坚持技术突破和生态扩展让公司稳步成长为国内规模最大的“全能型”存储厂，为之后出海创造了较为优异的条件。