5G时代的渐行渐近。

对消费群体而言，5G带来的是高带宽低延迟的使用效果；对于企业端尤其是闪存大厂来说，则是新的机遇。

在近日举行的“中国闪存市场峰会(CFMS2018)”上，中国闪存市场总经理邰炜表示，2018年全球半导体市场规模将达1500亿美元，其中NAND Flash(闪存存储器)将超过570亿美元，而中国消耗了全球产能的32%，意味着中国已是全球存储产业中最为重要的市场。目前半导体存储芯片厂商主要集中在美国、日本、韩国，中国也在快速发展。

随着5G、自动驾驶、AI等场景发展对存储的需求大幅增加，闪存大厂都在存储密度、堆叠技术等方面进行迭代，同时，NAND flash价格的大幅下滑也令技术更新诉求更为迫切。

集邦咨询半导体研究中心陈玠玮向21世纪经济报道记者表示，NAND Flash市场自2018年起，已走向供应过剩局面，直到5G时代的到来将会有所改善。对于最新的96层QLC技术，他认为到2020年上半年可实现量产。

有业内人士指出，虽然NAND市场整体规模持续增加，但对主控的需求成长有限；同时主控的研发力度持续不减，随着技术深入迭代，其投入回报比也面临压力越来越大的难题。

技术迭代遇上降价

今年以来，NAND flash价格结束了过去两年的上升态势并转跌，这一方面与关键闪存大厂此前的产能投入有关，也与技术更新换代息息相关。

据中国闪存市场统计，2018年NAND flash综合价格指数跌幅超过40%，同时年内主要原厂产出的3D NAND已成为主流。从3D NAND占NAND flash整体产能比来看，最高者美光已达90%。

邰炜指出，2018年新一轮投产即将开始，为了填补2016、2017年提升技术导致的产能空缺，并加大3D投产，三星除了有全球最大的Fab18工厂以外、还有西安工程二期，包括东芝和西部数据合资的Fab6、Fab7等来看，市场供应将会进一步增加。“后续随着技术提升和产能增加，价格还会进一步下滑。”

技术的迭代则显示出，1TB时代很快将到来，最可见的表现便是在手机端应用。据统计，今年上半年，NAND原厂的技术主要以量产64层TLC(三比特单元)为主，下半年部分原厂已经转为96层TLC或者64层QLC(四比特单元)。“目前来看，大规模量产将集中在2019年上半年，量产容量基本是256GB或512GB，也有部分原厂采用64层QLC量产1TB技术比如美光，长江存储也计划明年量产64层TLC。”邰炜表示。

据介绍，目前NAND 2D极限容量已从128GB上升到64层512GB，96层会以512GB过渡，技术成熟以后量产到1TB技术。随着QLC的量产，即使采用64层QLC也可以量产1T容量，这也意味着，TB时代的渐行渐近。

西部数据Device部门产品营销与管理高级副总裁Christopher Bergey则向媒体表示，96层意味着更大容量和更低成本。但是3D技术之美在96层之后，还是可调的，所以未来可以看到两个趋势——更快速度的晶圆或者更大容量的存储技术。

“其实在DRAM和NAND flash之间还有很大的价格和性能的调试空间，很多供应商都想找到一个既能满足性能又能满足存储要求的产品。对于未来市场会怎样，哪种产品最终能够赢得市场还有待实践。”他补充道。